1.这是溅射离子簇质谱中继“幻数”结构的另一个重要性质。
2.一种高功率平面磁控溅射阴极，它属于一种双银层低辐射膜。
3.在双元靶严格解的基础上，证明了泽优溅射与原子的半径大小无关。
4.溅射工艺制备出的铝背场接触电阻随退火温度升高呈下降趋势且溅射工艺的接触电阻比印刷工艺更小。
5.研究发现，利用射频反应磁控溅射可获得高纯度、高致密度、高表面光洁度的V_2O_5薄膜，薄膜的结晶状态随着氧分压的变化而变化；
6.一种含有水凝胶-碳纳米管的味觉传感器的制备方法，在基板上，用真空溅射法或化学气相沉积法制成带有金焊盘的匙状金电极；
7.溅射靶材、物理气相沉积、高温合金。
8.用途：溅射靶材、物理气相沉积、高温合金、用于高压真空开关触头及精密合金添加剂。
9.用直流共溅射方法制备了富稀土-过渡族金属非晶态合金薄膜。
10.真空室内的气体等离子体可由热灯丝或射频放电产生，4另外还配置了4 个金属等离子体源、两套磁控溅射靶和冷却靶台。
11.所有涂料通过混合物理气相沉积过程，结合磁控溅射和脉冲激光沉积的制备。
12.本文利用射频磁控溅射方法，在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜。
13.分析了氘饱和状态下液态锂作为包层流动液帘表面的溅射问题，得到了氘饱和状态下和固态的溅射产额。
14.应用TRIM程序模拟了离子在氚钛靶上的溅射产额。
15.当入射原子的能量大于溅射阈值时，溅射产额随入射原子能量的增加而线性增大；
16.离化团束的溅射产额比之单体离子束高100倍以上。
17.气体离化团束的高溅射产额可能是由于多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的照射引起的。
18.随着溅射功率的升高，薄膜的光学带隙减小、吸收边红移；
19.为了提高溅射层的均匀性，要求溅射靶材具有较高的致密度（在99.7%以上）。
20.采用三靶磁控溅射选择性镀膜技术，在镀膜层上加入钛金元素，集热性能比普通真空管明显提高。
21.形成的不对称溅射刻蚀区使得镀层均匀性好，靶材利用率高；
22.一种高靶材利用率的矩形靶，用于磁控溅射金属镀膜；
23.本文主要论述基板负偏压与A3钢基体磁控溅射离子镀铝膜相组成的关系。
24.巨像会一次过攻击2次，每次造成23点溅射伤害，这样可以一击屠杀虫族工蜂和神族探针，对付SCV也只要两次攻击而已。
25.低溅射功率下，与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。
26.基于两体碰撞近似，本文用蒙特-卡罗方法研究离子轰击多成分靶引起的溅射。
27.燃气轮机叶片涂层经腐蚀和冲蚀动态试验后，用溅射中性粒子质谱仪（SNMS）对其进行分析研究。
28.计算结果表明，随着溅射时氧分压的增加，薄膜的结晶活化能增加，而相应的非晶态与晶态之间的焓差则呈现出相反的变化趋势。
29.当黑色的池集，在底部的室和流动的液态改变一个缓慢而源源不断的溅射，泡沫，关火。
30.实验发现，随着溅射时间增加，壳层变厚，其偶极表面等离子体共振频率蓝移。
31.溅射物的大小从厘米级块体到毫米级球粒，再至微米级尘粉都有。
32.采用磁控射频溅射法制备光波导用玻璃薄膜。
33.在离子束溅射石墨靶淀积DLC膜的同时用离子束轰击，对于拓宽和改善DLC膜的性质有重要意义。
34.与普通溅射方法相比，本设备的优点是：溅射电压大大降低，而淀积速率提高很多。
35.采用铜铝复合集热板，利用专利技术——真空磁控溅射镀蓝膜，集热效率高，热损小，吸收率高达95%，发射率低至5%；
36.材料的快中子溅射性能直接关系到裂变和聚变反应堆材料的选择。
37.研究了用直流反应磁控溅射法在无机玻璃基片上制备ITO透明导电膜的工艺；
38.相对于传统水电镀或喷涂方式对环境的污染，真空溅射是环保制程，完全符合ROHS标准。
39.沉积速率是磁控溅射镀膜技术中的一项重要指标，它由许多因素决定。
40.采用磁控溅射方法，成功地在微颗粒表面沉积了金属铜膜和金属镍膜。
41.而制备二氧化锡透明电极的最佳工艺参数为：衬底温度室温、溅射功率200W、氧氩比为1：2、退火温度为600℃。
42.用激光拉曼谱和原子力显微镜等现代分析手段研究了磁控溅射石墨靶制备的薄膜的结构和特性。
43.同时，各种PVD方法也被用来制备硼碳氮薄膜，如溅射法、离子束辅助沉积和脉冲激光沉积等。
44.在信息产业不少基础产品的制造过程中需使用多种陶瓷溅射靶材，世界陶瓷靶材的市场销售规模日益扩大。
45.随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求量越来越大。
46.孪生溅射靶是利用此技术所开发的高新技术项目。
47.介绍了钛基涂层氧化物析氧阳极（DSA）的制备方法，包括热分解、磁控溅射、溶胶–凝胶和电沉积等方法。
48.第三，用溅射、光刻等工艺在微型腔体底部制作微型加热器和温度传感器，实现对反应腔体的加热及其温度的精确测量，提供PCR扩增反应所需的温度条件。
49.采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。
50.本文简要介绍准分子激光溅射法制备高温超导薄膜的实验技术。
51.通过改变氧分压强、溅射功率、沉积时间和衬底材料来获得不同相组成的氧化钒薄膜。
52.形成附着区域可以包括将该第一材料溅射到该流体喷射器衬底上，并且形成该第一材料。
53.该电路应用于溅射镀膜机上，可较精确地控制多层合金膜镀层。
54.模拟结果表明，增加引出电压可以缩短引出时间，降低碰撞损失，但是增加了溅射损失，使得收集率降低；
55.因此，本文用实验方法研究了影响溅射速率的一些工艺参数；
56.突然炉火溅射了出来，照亮了他眼中的悲哀。
57.借助光学显微镜、摩擦磨损试验仪和划痕试验仪等研究了溅射时间、溅射功率以及中间层对薄膜性能的影响。
58.用射频反应溅射法制备出BCN薄膜。
59.近年来，各种工业生产规模的玻璃基片大平面磁控溅射生产线发展迅速，令人关注。
60.本文得出的结论对用蒙特卡罗方法模拟计算轴阻塞分布、表面峰强度及溅射等有应用价值。
61.溅射总需求也会趋于减少资本需求。
62.爆炸溅射范围增加（范围内被炸造成100%伤害）
63.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大，其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素。而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小。
64.由试验可知，薄膜透过率随溅射气体总压的升高而升高。
65.研究了由溅射法产生的银超微粒的角分布规律。
66.对于盒形件必须要有一个型腔和型芯，它们自动地成为溅射的障碍，所以边缘浇口是完全允许的。
67.研究了一种制备金属超微粒的新物理方法——溅射法。
68.运用扫描俄歇微区棵针（SAM）和二次电子像、离子溅射剥层技术对微晶进行了表面及其纵深的碘离子的点分析，根据EDS和SAM的结果，可以得到板状碘溴化银微晶中的碘离子的空间分布。
69.该方法还包括使用磁控溅射涂镀工艺向基体的至少一部分施加涂层，所述涂镀工艺基本在低于约200℃的温度下进行。
70.离子镀是真空蒸镀与溅射相结合的新工艺。
71.探索了利用真空溅射技术在光纤纤芯上沉积纯铝腐蚀敏感膜的工艺。
72.研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。
73.无闪烁、溅射、眩光，彻底消除眼睛疲劳，且不含液态汞。是绿色环保的首选光源。
74.然后在微桥上溅射镍—铬电阻薄膜，形成温敏传感器微结构，并对其温度电阻特性，热响应时间进行了测量。
75.方法用激光溅射多相反应体系，以石墨为固体靶，以四氯化碳为气相和液相反应物，通过等离子体反应进行合成。
76.采用氢离子溅射和X射线光电子能谱相结合的方法，检测焦磷酸盐镀铜层和铁基体界面区含氧量的变化，证明了氧化层的存在。
77.研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线。
78.计算的溅射产额和反向散射系数同实验结果进行了比较。
79.Q300RT型溅射镀膜仪设有尺寸为300mmx127mm的工作腔室和适用于最大直径达8”样品的样品台。
80.Q300TT型溅射镀膜仪设有尺寸为300mmx127mm的工作腔室和适用于最大直径达8”样品的样品台。
81.用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程。
82.而在玻璃、亚克力等透明基片上用磁控溅射方法大面积沉积的膜层，针孔和结合力是一个令人关注的问题。
83.采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜。
84.采用扫描透射电镜（STEM） ，研究了铝上磁控溅射沉积铀薄膜的形貌、组织、结构以及铀薄膜的生长模型。
85.三极反应溅射具有设备简单，工艺简便，镀层致密等特点。
86.溅射离子泵在高电压和高磁场的作用下产生潘宁放电，吸附容器内气体分子达到真空的目的。
