1.作者对皇甫川流域从径流泥沙来源、水沙特性、水沙变化趋势等方面进行了较为深入地分析和研究，据此提出皇甫川流域近期治理方略是：以沟道坝系建设为切入点；
2.最后通过选取的四个判别指标，分析滥泥河流域近二十年沟道变化情况。
3.该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
4.对HZ3MZ3220轴承外圈沟道精研机因电器故障引起煤油着火的原因进行分析，提出一系列解决的措施和办法。
5.使用该检测系统对样品进行了样品的夹流实验，证明了进入分离沟道中样品的可控性；
6.他可以解释这样的事实：10伏特已经足够开通金属氧化物场效应晶体管的导电沟道。
7.这种结构的沟道中填满金属。
8.英特尔的3D架构也具有这些相同的基本元件，但是，它的电子沟道却是一个凸起的、三面环绕栅级的硅鳍片，而非平面的沟道。
9.使用的MOS管模型考虑了短沟道效应、栅源电容、栅漏电容和输出电阻。
10.通过实验，在磷酸盐玻璃基质上制作出了不同比例的平板波导，沟道波导和Y型分路器。
11.高压MOS器件具有复杂和特殊的结构，存在自热效应与沟道长度调制效应。
12.实验结果表明：前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱，同样产生出很大的界面电荷。
13.基于此解析式，讨论了分布栅电阻和内部沟道电阻对噪声性能的影响。
14.因此，控制和治理沟道的泥沙就成了解决黄河问题的关键。
15.实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。
16.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。
17.本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。
18.冉阿让感到沟道在脚下陷落了，他踏进了泥浆。
19.在部分耗尽型SOI结构中，SOI中顶层硅层的厚度为50-90nm，因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据，由此可导致电荷在耗尽层以下的电中性区域中累积，造成所谓的浮体效应。
20.沟道应力的模拟方法则采用掩膜版边缘错位模型（mask-edgedislocationmodel ），应力测量方面采用拉曼光谱法。
21.如果掺硅栏N，则MOSFET被称为N沟道器件。
22.然后在氧等离子体中用电子束刻蚀法去除沟道区石墨烯形成晶体管的沟道。
23.同众多中纬度火星陨石坑一样，沿着这个陨石坑的岩壁也有沟壑，它们是由凹坑、沟道以及周围的砾石构成。
24.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。
25.这样可以使栅极和沟道之间通过尽可能多的电流，反而使其更容易控制，更利于大幅减少电子溢出。
26.最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。
27.等高沟克服了这个问题，因为这些沟垂直于主坡方向布置，沟道坡度约为0．5％。
28.荷能带电粒子在碳纳米管绳内的沟道效应显示出大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
29.坝地淤积，抬高了侵蚀基准面，可以防止沟道下切和沟岩扩张；
30.实验结果表明：阱和源漏极离子注入制程对浅沟道隔离性能有很大的影响。
31.因为STICMP控制着硅沟槽中的HDPSiO2的均匀性，从而影响阱的浓度，使得浅沟道隔离制程控制不好。
32.本文通过野外调查将小秦岭金矿区矿渣型泥石流分为沟道型水力类和坡面型土力类两种类型。
33.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。
34.本发明提供一种灰色调掩模，其半透光部的透射率分布良好，而且与沟道部对应的图形的图形精度良好。
35.沟道掺杂浓度提高，同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大。
36.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑。
37.用镜像法计算了器件内电势分布 ，并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等 。
38.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。
39.本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。
40.m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。
41.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。
42.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。
43.该器件结构具有一非均匀掺杂沟道，采用氮化硅作为电荷俘获介质，利用带带隧穿热空穴注入进行编程，沟道FN隧穿进行擦除。
44.把拜格诺的河道水流悬移质泥沙公式简化为简单概念的沟道产沙公式。
45.介绍了双沟轴承轴连内圈双沟道磨床WZSM882的主要技术参数和结构设计。
46.计算表明，沟道板慢波电路与沟道梯型慢波电路的耦合阻抗特性相似，且沟道板电路的色散相对较弱，具有更宽的带宽。
47.提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。
48.灌溉水流接近沟道末端时，如果灌水员减小流量，就能减少废泄水量。
49.阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用。
50.在沟道热阻模型的基础上，考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响，建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型；
51.双养子沟道右岸滑坡体H1是在强降雨情况下失稳滑入沟床，堵塞沟道，然后在洪水作用下溃决形成泥石流的；
52.MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。
53.该半导体装置的沟 道区的导电性极好而不被分子间电荷迁移限制，并且可以被容易且安全地制备。
54.该文从动态功耗在工程上有界限的观点出发，讨论单沟道传输门的相对绝热计算原理。
55.结果表明：沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子；
56.在北海，小木船便于在沟道、河汊和水草间穿行。
57.然后利用DEM提取与沟道相关的因子：坡度、坡向、沟道长度、沟道深度、沟壑密度、纵比降等，并通过两期TM影像提取出沟道宽度；
58.源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；
59.通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
60.结果表明，随着栅长减小、栅间隙长度增加和沟道深度减小，传输栅电荷容量约从6。
61.本文给出了所研制的双扩散垂直沟道3DOV型高频功率场效应晶体管的设计原理、公式和基本工艺要则。
62.本文针对以上问题，将小流域沿沟缘线分为坡面与沟道两部分，运用正态整体模型试验的方法研究小流域沟道水沙运移规律。
63.采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。
64.考虑到沟道转角处的短路几率问题，小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次淹没光刻工艺，转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免。
65.分析了系统的相平面特征和准沟道粒子进入混沌的可能途径。
66.利用变坡度坡沟系统模型和人工模拟降雨试验，定量研究了不同降雨强度下的坡沟系统产流产沙过程，揭示了坡面沟道侵蚀产沙耦合特征。
67.重庆师范学院应用物理研究室已经用自己的工艺制造出高功率激光二极管线阵的微沟道冷却封装组件。
68.介绍了调心球轴承外沟道的磨削方法，并分析了各自特点及应用。
69.栅极引脚控制一个双N沟道MOSFET，以确保仅在OV和UV窗口内的电压通过并至输出。
70.串扰线上缺口的出现则是由于CCD的信号积分势阱被读出转移动作清空后再次填满需要经过一定时间，该时间内无信号电荷溢出至转移沟道；
71.和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能（如改善的沟道效应（SCE），理想的漏诱生势垒降低效应（DIBL）和亚阈值特性）和更大的驱动电流等。
72.根据分形理论和投影覆盖法的原理，建立了山区河流坡面流、沟道和山溪水流糙率直接测量方法。
73.沟道及沙棘柔性坝的土壤有机质含量在纵向大致呈现由上游到下游缓慢递增的过程。
74.分析了三江平原东部地区涝区排水沟道设计流速偏小的原因，提出了预防措施。
75.在特别界定小流域“坡面侵蚀”、“沟道侵蚀”和沟道“重力侵蚀”词语含义的基础上，建立起坡面侵蚀模数和沟道侵蚀模数的预报模型。
76.对隔离起作用的p-n结的反向击穿性能决定着隔离所能达到的最好效果，所以p-n结的设计是浅沟道隔离性能能够做好的前提。
77.将MOSFET的表面1/f噪声理论推广到了所有的偏置区，包括沟道均匀区，线性区和饱和区。
78.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
79.也可以作为今后进行沟道坝系工程建设、合理设计排洪渠断面尺寸的科学依据。
80.温暖潮湿的古气候条件。 从储集层角度看，厚层内扇主沟道和中扇辫状沟道应是隐蔽油气藏的勘探目标。
81.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。